刻蚀工艺通常分为湿法刻蚀和干法刻蚀两大类，每种方法都有其独特的适用场景和优势。

湿法刻蚀利用液体化学试剂(刻蚀液)与被刻蚀材料之间的化学反应，选择性地去除材料表面不需要的部分。这一过程通常涉及将待加工的晶圆片浸泡在刻蚀液中，并通过控制温度、浓度和时间等参数，精确控制刻蚀的深度和轮廓。湿法刻蚀具有设备简单、成本低廉的优点，但在精确度和控制复杂图案方面可能不及干法刻蚀。

干法刻蚀则不依赖液体介质，而是利用气体(如氟化物、氯气等)或高能离子束(如等离子体)与材料表面发生物理或化学反应，从而去除材料。干法刻蚀包括反应离子刻蚀(RIE)、深反应离子刻蚀(DRIE)、等离子刻蚀等多种技术。这些技术能够提供更高的刻蚀精度、更好的垂直侧壁轮廓控制以及更复杂的图案处理能力，因此在制造高精度、高性能的集成电路时广受欢迎。

刻蚀工艺通常分为湿法刻蚀和干法刻蚀两大类，每种方法都有其独特的适用场景和优势。

湿法刻蚀利用液体化学试剂(刻蚀液)与被刻蚀材料之间的化学反应，选择性地去除材料表面不需要的部分。这一过程通常涉及将待加工的晶圆片浸泡在刻蚀液中，并通过控制温度、浓度和时间等参数，精确控制刻蚀的深度和轮廓。湿法刻蚀具有设备简单、成本低廉的优点，但在精确度和控制复杂图案方面可能不及干法刻蚀。

干法刻蚀则不依赖液体介质，而是利用气体(如氟化物、氯气等)或高能离子束(如等离子体)与材料表面发生物理或化学反应，从而去除材料。干法刻蚀包括反应离子刻蚀(RIE)、深反应离子刻蚀(DRIE)、等离子刻蚀等多种技术。这些技术能够提供更高的刻蚀精度、更好的垂直侧壁轮廓控制以及更复杂的图案处理能力，因此在制造高精度、高性能的集成电路时广受欢迎。

刻蚀工艺通常分为湿法刻蚀和干法刻蚀两大类，每种方法都有其独特的适用场景和优势。

湿法刻蚀利用液体化学试剂(刻蚀液)与被刻蚀材料之间的化学反应，选择性地去除材料表面不需要的部分。这一过程通常涉及将待加工的晶圆片浸泡在刻蚀液中，并通过控制温度、浓度和时间等参数，精确控制刻蚀的深度和轮廓。湿法刻蚀具有设备简单、成本低廉的优点，但在精确度和控制复杂图案方面可能不及干法刻蚀。

干法刻蚀则不依赖液体介质，而是利用气体(如氟化物、氯气等)或高能离子束(如等离子体)与材料表面发生物理或化学反应，从而去除材料。干法刻蚀包括反应离子刻蚀(RIE)、深反应离子刻蚀(DRIE)、等离子刻蚀等多种技术。这些技术能够提供更高的刻蚀精度、更好的垂直侧壁轮廓控制以及更复杂的图案处理能力，因此在制造高精度、高性能的集成电路时广受欢迎。

刻蚀工艺通常分为湿法刻蚀和干法刻蚀两大类，每种方法都有其独特的适用场景和优势。

湿法刻蚀利用液体化学试剂(刻蚀液)与被刻蚀材料之间的化学反应，选择性地去除材料表面不需要的部分。这一过程通常涉及将待加工的晶圆片浸泡在刻蚀液中，并通过控制温度、浓度和时间等参数，精确控制刻蚀的深度和轮廓。湿法刻蚀具有设备简单、成本低廉的优点，但在精确度和控制复杂图案方面可能不及干法刻蚀。

干法刻蚀则不依赖液体介质，而是利用气体(如氟化物、氯气等)或高能离子束(如等离子体)与材料表面发生物理或化学反应，从而去除材料。干法刻蚀包括反应离子刻蚀(RIE)、深反应离子刻蚀(DRIE)、等离子刻蚀等多种技术。这些技术能够提供更高的刻蚀精度、更好的垂直侧壁轮廓控制以及更复杂的图案处理能力，因此在制造高精度、高性能的集成电路时广受欢迎。