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ICP电感耦合等离子刻蚀机(双腔)

PL-800(ICP) 电感耦合等离子刻蚀机在多个领域有着广泛的应用,主要包括有,在电子与通信技术领域可用于二氧化硅、应变硅、碳化硅、多晶硅栅结构、III-V族化合物等半导体材料的刻蚀,以及金属导线、金属焊垫等金属材料的刻蚀;在机械工程领域常用于硅材料的深槽刻蚀,以及MEMS(微机电系统)表面工艺中的浅硅刻蚀;除此之外,在纳米技术、生物技术、光学技术等领域也有潜在的应用价值。

设备应用

ICP电感耦合等离子刻蚀机通过下电极射频发生器和感应耦合离子射频发生器对真空腔体内的工艺气体进行离化,从而产生高密度等离子体,以实现快速对各种介质材料、金属及化合物半导体等材料(例如氧化硅、氮化硅、金属、三五族材料等)的刻蚀。本设备由预真空室和反应真空室两部分构成,最大限度减少了材料与外界的接触,同时保证了操作人员的安全操作环境。感应耦合等离子刻蚀机(ICP)主要由以下几部分组成:反应腔室、预真空室的、晶片传送装置、上电极、下电极、射频源、真空系统、反应气体控制系统、制冷系统、背氦控制系统、设备操作软件、配套附件等。

设备特点

  • 侧壁垂直刻蚀效果好提高性能和稳定性
  • 刻蚀角度和深度能达到高度自控
  • 适用范围广泛工艺气体选择多样
  • 可连接机械臂提高安全性和生产效率
  • 工艺可控性强满足不同的应用需求
  • 刻蚀损伤小保持材料的性能和稳定
  • 各向异性高保持结构的完整性和精度
  • 高选择比提供更加精确和可控的加工工艺
  • 产生高密度等离子体以实现快速刻蚀
  • 设置放料预备腔可隔绝特殊气体
  • 具有专属数据库和自主研发的EKEME系统
  • 双腔刻蚀范围更广气体选择更多
  • He 背冷晶片夹持技术实现最佳温度控制
  • 干法刻蚀技术更环保减少对材料的损伤
  • 适用多种半导体材料进一步提高生产效率
  • 各种介质材料、金属及化合物半导体等材料(例如氧化硅、氮化硅、金属、三五族材料等)

  • 最大支持6寸

  • 配置8路气体管道

  • 电子与通信、机械工程、微机电系统、纳米技术、生物技术、光学技术