PL-800(ICP CVD) 电感耦合等离子化学气相沉积设备在半导体行业中有着广泛的应用，如制备氮化硅（SiN）、氧化硅（SiO2）等介质薄膜，这些薄膜在半导体器件中起着重要的作用，作为绝缘层、钝化层或保护层等。还可以用于制备非晶硅（a-Si）等半导体材料，用于太阳能电池、薄膜晶体管等领域。利用ICP CVD技术可以制备具有优异性能的复合材料，如纤维状或晶须状的沉积物，这些沉积物可以作为复合材料的增强相，提高复合材料的力学性能和热稳定性。
ICP CVD电感耦合等离子化学气相沉积设备是一种先进的材料制备技术，它结合了电感耦合等离子体和化学气相沉积的优点。该设备通过电感耦合方式激发等离子体，产生大量的活性离子和自由基，这些活性粒子在基体表面发生化学反应，从而生成所需的薄膜或涂层。ICP CVD设备的主要组成部分包括反应腔、真空系统、气路系统、射频电源和控制系统等。其中，反应腔是发生化学反应的场所，真空系统用于控制反应腔内的气体压力和成分，气路系统负责向反应腔内输送反应气体，射频电源则提供激发等离子体的能量，控制系统则负责整个设备的运行和监控。
氮化硅、氧化硅、非晶硅等材料
最大支持6寸
配置8路气体管道
电子与通信、机械工程、微机电系统、纳米技术、生物技术、光学技术
