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RIE反应离子刻蚀机(单腔)

PL-200(RIE) 反应离子刻蚀机是半导体工艺中的核心设备之一。在半导体制造工艺中,它利用等离子体能量对硅片进行精细加工,是制造微电子器件的关键步骤。等离子刻蚀机具有高度的精度,可以在微观水平上创建极其复杂的图案。等离子体蚀刻机在半导体行业中的应用非常广泛。它不仅可以用于蚀刻半导体材料,如硅和磷等,还可以用于制造芯片和电路。此外,反应离子刻蚀机还在微电子、微机电系统(MEMS)和纳米技术应用制造等领域发挥着重要作用。

设备应用

反应离子刻蚀(RIE)是一种干法刻蚀技术,其原理是在真空系统中利用分子气体等离子来进行刻蚀。这一过程涉及在平板电极之间施加高频电压,产生离子层,样品放置在其中,离子高速撞击样品完成化学反应刻蚀。RIE技术利用离子诱导化学反应实现各向异性刻蚀,即通过离子能量,使被刻蚀层表面形成容易刻蚀的损伤层和促进化学反应,同时离子还可清除表面生成物以露出清洁的刻蚀表面。这种刻蚀技术具有高选择性和高刻蚀速率,被广泛应用于芯片制造等领域的精细加工过程中。

设备详情

RIE反应离子刻蚀机是半导体工艺中的核心设备之一。在半导体制造工艺中,它利用等离子体能量对硅片进行精细加工,是制造微电子器件的关键步骤。等离子刻蚀机具有高度的精度,可以在微观水平上创建极其复杂的图案。等离子体蚀刻机在半导体行业中的应用非常广泛。它不仅可以用于蚀刻半导体材料,如硅和磷等,还可以用于制造芯片和电路。此外,反应离子刻蚀机还在微电子、微机电系统(MEMS)和纳米技术应用制造等领域发挥着重要作用。

设备特点

  • 高选择性各向异性刻蚀满足各种制程要求
  • 全面积喷淋头可实现均匀的气体分布
  • 高抽气能力提供宽广的工艺压力窗口
  • He 背冷晶片夹持技术实现最佳温度控制
  • 干法刻蚀技术更环保减少对材料的损伤
  • 适用多种半导体材料进一步提高生产效率
  • 介电材料(SiO2、SiNx等) 硅基材料(Si、a-Si、poly Si) 溅射金属(Au、Pt、Ti、Ta、W等)

  • 2、3、4、8寸

  • -20°℃~100℃

  • 集成电路和芯片制造、微机电系统 (MEMS)制造、生物医学应用