IBE-150 离子束刻蚀机以其高精度和高可控性，在半导体制造、微电子与光电子、MEMS（微机电系统）、生物医学、纳米材料制备、数据存储与磁记录以及航空航天等多个高科技和工业领域发挥着关键作用。它利用高能离子束对材料表面进行轰击，使材料原子发生溅射，从而达到刻蚀的目的。这种刻蚀技术能够制造出极细微的器件结构，提高芯片的性能和稳定性，同时也可在各类材料的表面制造纳米级结构，如纳米线、纳米孔等，这对于纳米电子学、生物医学等领域具有重要意义。此外，离子束刻蚀机还可用于光学器件制造，对光学器件的表面进行微小处理，改善表面质量，制造精细结构，从而提高光学器件的性能和效率。
离子束刻蚀机的原理是利用离子源产生的离子，经过电场或磁场的加速和聚焦后，形成高能离子束，然后精确瞄准并轰击待加工的样品表面。这种物理轰击会导致表面原子的去除或移动，从而实现对样品表面的精确刻蚀。在刻蚀过程中，通常会有掩膜保护不需要被刻蚀的部分，以确保形成所需的沟槽或图案。离子束刻蚀机具有高精度、可控性强和适用范围广等优点，因此在纳米加工、芯片制造、光学元件制备等领域得到了广泛的应用。通过精确控制离子束的能量、剂量和照射时间，可以实现对样品的精确加工，满足各种复杂结构和高精度要求。
| 型号 | IBE-150 |
| 离子源 | 考夫曼离子源；口径为Ф200mm，以 阳极筒内径标定。 1）离子能量可调范围：0 ～1000eV；2）离子束流可调范围：0 ～200mA； 离子能量和束流可实现自动匹配；3）有效束径：Фb ≥150mm（6 英寸）； 直径范围内刻蚀不均匀性±3-5%。 |
| 刻蚀工件台 | 1）样品台冷却方式：水冷；可安装 3 英寸及以下样品2）刻蚀角度范围 ±90°可调。3）样品台可自转速率 0-20rpm可调 |
| 真空系统 | 真空工艺腔体：SUS304 不锈钢 1）高真空系统：前级真空泵＋分子 泵；2）极限真空：PLim≤8.5×10-5Pa(无冷阱、不烘烤)；3）工作气体：普通氮气，工艺气路 1-2 路 ；4）真空测量系统：复合真空计，电阻 真空规管＋电离规管。 |
| 离子源电源及全自动控制系统 | 1）离子源电源按独特电源多系统方 案设计，电源输出外特性与离子源动 态负载高度匹配，使离子源处于高效、稳定运行状态。2）全自动＋半自动控制；支持单工艺 和多工艺组，操作记录，运行记录， 故障诊断，报警等功能。 |
可用于溅射沉积各种金属、合金、Ⅲ-Ⅴ族化合物及半导体材料的单层薄膜、多层薄膜，也可将单质材料通过反应合成氧化物、氮化物、碳化物等薄膜
6寸
半导体、光学、微电子、微机械、通信、导航、卫星、雷达、核聚变、超导等多个领域，包括声、光、电、热、磁等在内的各种新型材料与器件
该系统为通用离子束刻蚀系统，除了可进行传统三维结构刻蚀外，还可实现离子束清洗、材料表面终极抛光和材料减薄等功能，还可选配反应离子束刻蚀（RIBE）
