PL-200(PECVD) 是半导体行业中常用的一种薄膜沉积技术，用于生产高质量的薄膜层，如介电层、低介质材料等，这些薄膜对于提高半导体器件的性能和可靠性至关重要。在光电子器件的生产中，PECVD技术被用于沉积高质量的介电薄膜和光学薄膜，以制造激光器、光学调制器、光纤传感器等器件。PECVD也被用于硅基光电子器件的生产，这些器件在光通信和集成光学中具有重要应用。PECVD在半导体、新能源、生物医学、电子以及材料学等领域都有着重要作用，随着技术的不断进步和应用领域的不断扩大，这项技术将在更多领域发挥重要作用并推动相关产业的发展
PECVD（等离子体增强化学气相沉积）是一种利用等离子体在较低温度下促进化学反应的技术，主要用于在基片上沉积固态薄膜。 这一技术是在反应器内，通过直流电压、交流电压、射频、微波或电子回旋共振等方法实现气体辉光放电，形成低温等离子体。这种等离子体包含正离子、电子和中性反应分子，其中自由基具有很高的化学活性。化学反应：在等离子体的作用下，通入适量的反应气体，这些气体在等离子体中发生化学反应，生成薄膜的组成原子或分子。反应生成的物质在基片表面形成固态薄膜。由于等离子体提供了反应所需的能量，这一过程可以在较低的温度下进行，通常在200-400摄氏度之间，特别适合对温度敏感的材料。此外，PECVD技术的优势还包括能够降低反应温度，减少对基板材料的热应力，同时提高反应速率和薄膜的附着力及致密性。
介电材料（SiOx、SiNx、SiOxNy等） 硅基材料（Si、a-Si：H、poly Si）
2、3、4、8寸
100-400℃
集成电路和芯片制造、微机电系统 (MEMS)制造、显示面板、太阳能电池、电子与通信、生物医学应用、光学领域等
