IBSD-100 双离子束溅射辅助沉积镀膜是在单离子束溅射技术的基础上发展起来的，在主溅射源基础上增加辅助离子源。可用于溅射沉积各种金属、合金、Ⅲ-Ⅴ族 化合物及半导体材料的单层薄膜、多层薄膜，也可将单质材料通过反应合成氧化物、氮化物、碳化物等薄膜。
双离子束溅射辅助沉积镀膜主要特点： 1．可方便地镀制各种金属（包括难熔金属）合金、氧化物、氮化物及碳化物等薄膜，此外还可镀制多层复合薄膜； 2．薄膜与基体的结合力好，薄膜纯度高，致密度高, 无环境污染，无交叉污染； 3．能获得均匀的大面积薄膜，可方便地控制薄膜厚度和膜层质量。 4．辅源轰击清洗基体可彻底清除基体表面的各种杂质，使基体材料表面原子活化，有利于沉积晶粒更均匀、孔隙更小的致密薄膜； 5．沉积过程中的离子束辅助溅射功能，可有效提高薄膜与基体之间的附着力，并显著降低薄膜应力； 6．可精确控制薄膜生长过程中的微观组织结构；
| 型号 | IBSD-100 |
| 离子束口径 | 主源—聚焦束溅射离子源：Ф100mm 辅源—准直束离子源：Ф100mm |
| 主源技术参数 | 离子能量可调范围：Ei = 0～1000 eV； 束流可调范围：Jb = 0～110 mA； 薄膜厚度均匀度：100mm 直径范围内≤±4% |
| 辅源技术参数 | 离子能量可调范围：Ei = 0～1000 eV； 束流可调范围：Jb = 0～100 mA； 辅助离子束轰击直径：Ф≥100mm； |
| 衬底台 | 台面直径：可装 4 英寸及以下样品； 自转速率：15RPM； |
| 水冷靶台 | 装靶数：4 靶（靶尺寸Ф100mm×δ3~5mm）； 离子束溅射靶温＜100℃（冷却靶水温 0℃~25℃可调）； 换靶方式：随机外部手动换靶； 标准溅射角θs=45°±15°。 |
| 真空室及真空系统 | 真空工艺腔体：SUS304 不锈钢 1）高真空系统 ：前级真空泵＋分子泵 2）极限真空：PLim≤8.5×10-5Pa(无冷阱、不烘烤)； 3）真空测量系统：复合真空计，电阻真空规管＋电离规管 |
| 气路及气源 | 系统标准配置 2 条气路，流量控制器(MFC)的量程：0～20 sccm；配 3 路配置(3 路气体，Ar、N2、O2) |
| 离子源电源及全自动控制系统 | 1）离子源电源按独特电源多系统方案设计，电源输出外特性与离子源动态负载高度匹配，使离子源处 于高效、稳定运行状态。 2）全自动＋半自动控制；支持单工艺和多工艺组，操作记录，运行记录，故障诊断，报警等功能。 |
各种金属、合金、非金属、氧化物、氮化物、碳化物、半导体、聚合物、陶瓷、红外和超导等材料
4寸
半导体、光学、微电子、微机械、通信、导航、卫星、雷达、核聚变、超导等多个领域，包括声、光、电、热、磁等在内的各种新型材料与器件
离子束溅射清洗（IBSC）衬底、离子束终极抛光（IBP）衬底、离子束溅射沉积（IBSD）薄膜、离子束辅助—离子束溅射沉积（IBA-IBSD）薄膜、离子束辅助—离子束溅射沉积合成（IBA—IBSOS）化合物薄膜、IBSD-Lift-off 薄膜
